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9 oct 2026
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Características
El SAMSUNG MZ-VAP1T0 cuenta con un factor de forma M.2 2280, interfaz PCI Express 5.0 x4 y tecnología NVMe 2.0. Ofrece una capacidad de 1 TB con memoria V-NAND TLC, logrando velocidades de lectura de 14700 MB/s y escritura de 13300 MB/s. Incluye encriptación 256-bit AES, soporte S.M.A.R.T. y TRIM, con un tiempo medio entre fallos de 1500000 h.

SAMSUNG
Accesorio para discos
Instala y protege tus unidades

IGGUAL
Memoria USB recomendada
Lleva tus archivos a todas partes

SAMSUNG
Tarjeta microSD recomendada
Amplía el almacenamiento al momento

SANDISK

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307,95 €